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400-68-17025

產品名稱：場發射掃描電子顯微鏡

產品型號：Sigma 360

產品品牌：Zeiss 蔡司

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  • 產品詳情

Sigma 360 場發射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）

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蔡司Sigma系列產品集場發射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）技術與良好的用戶體驗于一體，可輕松實現成像和分析程序，提高工作效率。 您可以將其用于新材料和顆粒的質量監測，或用于生物和地質樣品的研究。在高分辨率成像方面精益求精——采用低電壓，在1 kV或更低電壓下獲得更佳的分辨率和襯度。它出色的EDS幾何學設計可執行高級顯微分析，以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數據。

 

使用Sigma系列，暢游高端納米分析世界。

●　Sigma 360 — 一款直觀的成像和分析FE-SEM，是分析測試平臺的理想之選。

●　Sigma 560 — 采用先進的EDS幾何學設計，可提供高通量分析，實現自動原位實驗。

NanoVP應用案例

直觀成像工作流為您指引方向

從設置到獲取基于人工智能的結果，每一步都清晰明了

★ 即使您是新手用戶，也能輕松獲得專業結果。Sigma系列可迅速獲取圖像，易于學習和使用的工作流程可節省培訓時間，簡化從導航到后期處理的每個步驟，讓您如虎添翼。

★ 蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動化可助您完成導航、參數設置和圖像采集等步驟。

★ 接下來，ZEN core便可大顯身手：它配備針對具體任務的工具包，適用于后期處理。我們十分推薦基于機器學習的人工智能工具包，它可助您進行圖像分割，將多模式實驗與Connect Toolkit相結合，此外，Materials應用程序還能分析微觀結構、晶粒尺寸或涂層厚度。

從設置到獲取基于人工智能的結果，每一步都清晰明了

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異

增強的分辨率，優化的襯度

★ 光學鏡筒是成像和分析性能的關鍵。Sigma配備蔡司Gemini 1電子光學系統，可對任何樣品提供出色的成像分辨率，尤其是在低電壓條件下。

★ Sigma 360的低電壓分辨率目前規定500 V時為1.9nm。通過減少色差影響，已實現將1 kV 的分辨率提高10% 以上。

★ 現在成像比以往任何時候都輕松，無論是要求嚴苛的樣品，還是在可變壓力（VP）模式下采用背散射探測。

可在極端條件下完成可變壓力成像

可在極端條件下完成可變壓力成像

用于分析和成像的NanoVP lite模式

★ 全新的?NanoVP lite模式和探測器可輕松在低于5 kV的條件下從絕緣材料中獲得高質量數據。 ★ 這樣就可增強成像和X射線能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時間，增強入射電子束流，提高能譜面分布速度。 ★ aBSD1（環形背散射電子探測器）或新一代C2D（級聯電流）探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。

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技術

Gemini光學鏡筒截面示意圖，包含電子束推進器、Inlens探測器和Gemini物鏡。
Gemini光學鏡筒截面示意圖，包含電子束推進器、Inlens探測器和Gemini物鏡。

Gemini 1的光學系統

Gemini 1的光學系統由三個元件組成：物鏡、電子束推進器和具有Inlens探測原理的探測器。其中，物鏡的設計將靜電場與磁場的作用力相結合，大大優化光學性能的同時，降低了樣品所處的場影響。如此也可實現對磁性材料等具有挑戰性的樣品的高品質成像。Inlens探測原理通過對二次電子（SE）和/或背散射電子（BSE）的探測來確保高效的信號檢測，同時大幅縮短獲取圖像的時間。電子束推進器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。
Sigma的Gemini 1光學鏡筒與探測器。1 Inlens探測器，SE或Duo。2 ETSE探測器、3 VPSE、4 C2D、5 aSTEM、6/7 高級EDS探測和不同的背散射探測器，如aBSD1。
Gemini 1光學鏡筒與探測器截面示意圖

靈活探測

Sigma配備了一系列不同的探測器，通過新探測技術對您的樣品進行表征。使用ETSE和Inlens探測器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。使用VPSE或C2D探測器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。使用aSTEM探測器可進行高分辨率透射電子成像。?采用不同的可選BSE探測器（如aBSD探測器）可以深入研究樣品的成分和表面形貌。  
標準VP |模式，氣體分布（粉紅色），電子束裙邊（綠色）。
NanoVP lite模式，氣體分布
標準VP（左）和NanoVP lite（右）模式，氣體分布（粉紅色），電子束裙邊（綠色）。

NanoVP lite模式

采用NanoVP lite模式進行分析和成像，在低電壓條件下可獲得更高的圖像質量，更快速地獲取更準確的分析數據。

●　在NanoVP lite模式下，裙邊效應降低且入射束流的路徑長度（BGPL）減小。裙邊減小會提高SE和BSE成像的信噪比。

●　帶有五段圓弧的伸縮式aBSD可提供出色的材料成分襯度：在NanoVP lite工作過程中，該探測器配備了安裝在極靴下方的束流套管，其可提供高通量及低電壓的成分和表面形貌高襯度成像，適用于可變壓力和高真空條件。

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應用

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材料科學

探索聚合物、纖維、二硫化鉬等材料樣品的圖像。

對聚苯乙烯樣品表面進行斷裂，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力

對斷裂的聚苯乙烯樣品表面進行成像，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。 Sigma 560， 3 kV，60 Pa樣品倉壓力下的NanoVP lite模式，C2D G2。

 
用于藥物傳遞的MSC膠囊（中空介孔二氧化硅）。
由德國科隆大學無機化學研究所的V. Brune博士提供。

用于藥物傳遞的MSC膠囊（中空介孔二氧化硅）。背散射成像顯示了二氧化硅納米膠囊中的氧化鐵顆粒。Sigma 560，HDBSD，5 kV。

以低電壓成像的碳納米管（CNT）。

以低電壓成像的碳納米管（CNT）。Sigma 560，500 V，Inlens SE探測器。

氧化鋁（Al2O3）球體，在500 V表面信息敏感條件下高分辨率成像，可以看到燒結顆粒的表面梯度。

氧化鋁（Al2O3）球體。在500 V表面信息敏感條件下高分辨率成像，可以看到燒結顆粒的表面梯度，某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560，500 V，Inlens SE。

電池正極鋁箔顆粒表面。

電池正極鋁箔顆粒表面。利用材料成分襯度識別Li-NMC上的粘合劑（較暗的材料），使用aBSD成像。

利用化學氣相沉積（CVD）技術在Si/SiO2基材上生長的MoS2 2D晶體：RISE圖像呈現出MoS2晶體的褶皺和重疊部分（綠色）、多層（藍色）及單層（紅色）結構，圖像寬度32 μm。

利用化學氣相沉積（CVD）技術在Si/SiO2基材上生長的MoS2?2D晶體：RISE圖像呈現出MoS2晶體的褶皺和重疊部分（綠色）、多層（藍色）及單層（紅色）結構，圖像寬度32?μm。

生命科學

了解更多有關原生動物或真菌的微觀和納米結構信息，獲取切面樣品或薄片上的超微結構。

在1 kV高真空條件下，使用ETSE探測器輕松完成放射蟲精細鏤空結構成像，圖像寬度183 μm。

在1 kV高真空條件下，使用ETSE探測器輕松完成放射蟲精細鏤空結構成像，圖像寬度183 μm。

在1 kV高真空條件下對蘑菇真菌孢子成像。使用Sigma 500可以在低電壓下對這些精巧脆弱的結構輕松成像。

在1 kV高真空條件下對蘑菇真菌孢子成像。使用Sigma 500可以在低電壓下對這些精巧脆弱的結構輕松成像。

Tricellaria inopinata
由挪威卑爾根大學薩斯海洋分子生物學中心的Anna Seybold和Harald Hausen提供。固著海洋生物苔蘚蟲Tricellaria inopinata的超微結構，觀察視野為30 μm。使用蔡司Sigma 560采集，Sense BSD探測器，1 kV，30 pA。
使用連續切面成像的三維大腦超微結構
由UCL眼科研究所的Peter Munro博士和Hannah Armer提供。

使用連續切面成像技術自動采集的3D大腦超微結構。星形細胞（青色）被識別和分割。

地球科學與自然資源

探索巖石、礦石和金屬。

 
在20 kV下使用YAG-BSD成像的巖石樣品，由于YAG晶體的光傳導性能可高速采集圖像。

在20 kV下使用YAG-BSD成像的巖石樣品，由于YAG晶體的光傳導性能可高速采集圖像。

硫化鎳礦石。礦物EDS面分布圖，圖像寬度3.1 mm。樣品由英國萊徹斯特大學提供。

硫化鎳礦石。礦物EDS面分布圖，圖像寬度3.1 mm。樣品由英國萊徹斯特大學提供。

鐵礦石礦物分析：鐵礦石礦物的拉曼光譜分析，掃描電子顯微鏡圖像和拉曼圖疊加。（赤鐵礦為紅色、藍色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍色）。

鐵礦石礦物分析：鐵礦石礦物的拉曼光譜分析，掃描電子顯微鏡圖像和拉曼圖疊加。（赤鐵礦為紅色、藍色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍色）。

鐵礦石礦物分析，拉曼光譜：赤鐵礦光譜的差異表征了其晶體取向的不同。（赤鐵礦為紅色、藍色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍色）。

鐵礦石礦物分析，拉曼光譜：赤鐵礦光譜的差異表征了其晶體取向的不同。（赤鐵礦為紅色、藍色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍色）。

含石榴石片麻巖的定量EDS主要元素熱圖（Ca），突出了關鍵礦物中的地球化學分區。

含石榴石片麻巖的定量EDS主要元素熱圖（Ca），突出了關鍵礦物中的地球化學分區。

工業應用

了解如何對金屬、合金和粉末進行研究。

非導電二氧化鈦納米顆粒

在40?Pa可變壓力模式下，使用C2D探測器輕松完成對顏料和遮光劑用非導電二氧化鈦顆粒的成像，圖像寬度10?μm。

在20 kV的暗場模式下，使用aSTEM探測器對25 – 50 nm氧化鐵顆粒成像。

在20 kV的暗場模式下，使用aSTEM探測器對25 – 50 nm氧化鐵顆粒成像。

在1 kV下使用aBSD對超導合金樣品成像。

在1 kV下使用aBSD對超導合金樣品成像。（比例尺20 μm）

氧化鋅枝晶

氧化鋅枝晶：檢測儲能系統電極的形態變化。Sigma，ETSE，5 kV。

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